Görsel mevcut değil
SGS6N60UFDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
SGS6N60UFDTU Hakkında
SGS6N60UFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A sürekli collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç yayılımı 22W olup, 15nC gate charge değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, switching uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 57µJ açılış ve 25µJ kapanış switching enerjisi ile verimli komütasyon sağlar. Kısa 15ns açılış (Td on) ve 60ns kapanış (Td off) zamanları hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
22 W
Reverse Recovery Time (trr)
52 ns
Supplier Device Package
TO-220F-3
Switching Energy
57µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/60ns
Test Condition
300V, 3A, 80Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V