Görsel mevcut değil
FGA6540WDF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF Hakkında
FGA6540WDF, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 80A sürekli kollektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 238W güç sınırlaması içinde çalışır. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği (16.8ns açılış, 54.4ns kapanış) ve 101ns ters kurtarma süresi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 55.5nC gate charge değeri, düşük enerji tüketimi gerektiren tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
55.5 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
238 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.37mJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16.8ns/54.4ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V