Görsel mevcut değil
IRGP6640D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGP6640D-EPBF Hakkında
IRGP6640D-EPBF, entegre recovery diyot ile birlikte gelen 600V IGBT transistörüdür. 53A maksimum collector akımı ve 72A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 50nC gate charge ve 70ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 24A akımda 1.95V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama enerjisi 90µJ (açılış) ve 600µJ (kapanış) değerlerindedir. İnvertör, motor sürücüsü, AC/DC güç kaynakları ve benzer anahtarlamalı güç dönüştürücü devrelerde uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
53 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
72 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
90µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/100ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V