Görsel mevcut değil
SGS23N60UFDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N
SGS23N60UFDTU Hakkında
SGS23N60UFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 23A sürekli kolektör akımı ve 600V kırılma gerilimi ile orta-güç uygulamalarına uygundur. TO-220-3 paket tipinde through-hole montaj için tasarlanmıştır. Düşük gate charge (49 nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (Td on/off: 17ns/60ns) ile motor kontrol, güç dönüştürücü, DC-DC konvertör ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 73W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
49 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
73 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-220F
Switching Energy
115µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/60ns
Test Condition
300V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V