Görsel mevcut değil
SGP15N60RUFTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
SGP15N60RUFTU Hakkında
SGP15N60RUFTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 24A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 160W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 2.8V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon imkanı tanır. 42nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sürelerini (on: 17ns, off: 44ns) destekler. Üretim sonlandırılmış (obsolete) bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
42 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
320µJ (on), 356µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/44ns
Test Condition
300V, 15A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V