Görsel mevcut değil
SGP13N60UFDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
SGP13N60UFDTU Hakkında
SGP13N60UFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 13A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yer alır. 60W maksimum güç kapasitesi, 25nC gate charge ve 55ns reverse recovery time ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6.5A collector akımında 2.6V'tur. Bileşen obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
25 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
85µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/70ns
Test Condition
300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V