Görsel mevcut değil
SGL50N60RUFDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
SGL50N60RUFDTU Hakkında
SGL50N60RUFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 600V collector-emitter gerilim ve 80A sürekli collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-264-3 kasa tipinde sunulan bu transistör, 250W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. 145nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Td(on) 26ns ve Td(off) 66ns anahtarlama gecikme süreleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 100ns reverse recovery time değeri ile güç dönüştürücü, motor kontrol devreleri, invertör ve switching power supply uygulamalarında tercih edilir. Standard input tipi ile pratik kullanım sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
HPM F2
Switching Energy
1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/66ns
Test Condition
300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V