Görsel mevcut değil
SGH20N120RUFDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 32A, 1200V, N-CHANNEL
SGH20N120RUFDTU Hakkında
SGH20N120RUFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 1200V kollektör-emitör bozulma gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 32A sürekli kollektör akımı ve 60A atımlı akım kapasitesi sayesinde güç dönüştürme, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarında yer alır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu transistör, 3V (Vge=15V, Ic=20A) düşük doyma gerilimi ve 140nC gate yükü ile verimli anahtarlama sağlar. 30ns açılış ve 70ns kapanış gecikmeleri ile hızlı komutasyona uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 230W maksimum güç yönetebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
140 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
230 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
1.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/70ns
Test Condition
600V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V