Görsel mevcut değil
SGB02N120CT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 2A, 1200V, N-CHANNEL
SGB02N120CT Hakkında
SGB02N120CT, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 6.2A sürekli akım yeteneğine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 62W maksimum güç dissipasyonu ile şarj kontrolleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 23ns açılış ve 260ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 11nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimi gösterir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.6 A
Gate Charge
11 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
62 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
220µJ
Td (on/off) @ 25°C
23ns/260ns
Test Condition
800V, 2A, 91Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V