Görsel mevcut değil
RJH1CV7DPQ-E0#T2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- RJH1CV7DPQ - IGBT 1200V 70A
RJH1CV7DPQ-E0#T2 Hakkında
RJH1CV7DPQ, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 70A IGBT transistörüdür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde gelen transistör, 150°C'ye kadar çalışmaya uygun olup maksimum 320W güç hantiyeti sağlar. 166nC gate charge ve 53ns/185ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 35A'de 2.3V'tur. Endüstriyel motor kontrolü, inverter devreleri, kaynak makineleri ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılan bu IGBT, kendi kendini kapayan (self-commutating) özelliği ile modern güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Gate Charge
166 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/185ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V