Görsel mevcut değil
NGTB75N65FL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
NGTB75N65FL2WG Hakkında
NGTB75N65FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 595W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 310nC, reverse recovery time 80ns olup yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Td(on) 110ns, Td(off) 270ns ile hızlı açılış ve kapanış karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel sürücü kontrol, enerji dönüştürme, kaynak uygulamaları ve AC/DC konverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
310 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
595 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
110ns/270ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V