Görsel mevcut değil
NGTB75N60SWG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 75A 600V TO-247
NGTB75N60SWG Hakkında
NGTB75N60SWG, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olarak tasarlanmış tekil transistör komponenttir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75A sürekli collector akımı ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 75A akımda 2V'tir. 595W maksimum gücü ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 310nC gate charge ve 110ns/270ns on/off gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama karakteristikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Inverter, konvertör, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
310 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
595 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
110ns/270ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V