Görsel mevcut değil
NGTB75N60FL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 75A TO247
- Aile / Seri
- NGTB75N60FL2WG
NGTB75N60FL2WG Hakkında
NGTB75N60FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V 75A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, TO-247-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 100A sürekli ve 200A darbe kollektör akımı, 595W maksimum güç ve 80ns geri kazanım zamanı özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uyguntur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. UPS sistemleri, motor sürücüleri, endüstriyel invertörler ve güç elektronik dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
310 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
595 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
110ns/270ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler