Görsel mevcut değil
NGTB50N65FL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
NGTB50N65FL2WG Hakkında
NGTB50N65FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200A darbe akımı ile çalışabilir ve -55°C ile +175°C arasında işletim sıcaklığına sahiptir. 2V Vce(on) düşüşü ve 220nC gate charge değerleri ile düşük kayıplı uygulamalar için tasarlanmıştır. Switching energy değerleri (on için 1.5mJ, off için 460µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. 417W maksimum güç yeteneği ve 94ns reverse recovery time ile endüstriyel sürücü devreleri, inverted uygulamalar, solar konvertörleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
220 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
417 W
Reverse Recovery Time (trr)
94 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
100ns/237ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V