Görsel mevcut değil
NGTB40N120FL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
NGTB40N120FL2WG Hakkında
NGTB40N120FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu komponent, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır ve maksimum 80A sürekli akım taşıyabilir. Pulsed akım kapasitesi 200A'e ulaşmaktadır.
TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 313nC gate charge değeri ve kısa switching time (116ns on, 286ns off) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 535W güç tüketebilir. Yüksek akım ve voltaj uygulamalarında tercih edilen güvenilir bir komponenttir.
TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 313nC gate charge değeri ve kısa switching time (116ns on, 286ns off) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 535W güç tüketebilir. Yüksek akım ve voltaj uygulamalarında tercih edilen güvenilir bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
313 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
535 W
Reverse Recovery Time (trr)
240 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
116ns/286ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V