Görsel mevcut değil
NGTB30N65IHL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
NGTB30N65IHL2WG Hakkında
NGTB30N65IHL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V collector-emitter diykat voltajında 60A sürekli akım sağlar, 120A'ye kadar puls akımı kapasitesiyle çalışır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 2.2V Vce(on) değeri ile düşük kayıp özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 300W maksimum güç dağıtabilir. 135nC gate charge ve 145ns turn-off delay süreleriyle hızlı anahtarlama performansı gösterir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter tasarımlarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
135 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
430 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/145ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V