Görsel mevcut değil
NGTB25N120SWG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 25A 1200V TO-247
NGTB25N120SWG Hakkında
NGTB25N120SWG, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench teknolojili IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A sürekli kollektör akımı ve 1200V kesme gerilimi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, endüstriyel sürücüler, UPS sistemleri ve enerji dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 178 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 87ns (on) ve 179ns (off) komütasyon süreleri ile verimli işletme mümkündür.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
178 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
385 W
Reverse Recovery Time (trr)
154 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.95mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
87ns/179ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V