Görsel mevcut değil
NGTB25N120IHLWG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A TO247
NGTB25N120IHLWG Hakkında
NGTB25N120IHLWG, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 50A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 192W maksimum güç kapasitesi ile sürücü devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, kaynak cihazlarında ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında yer alır. 200 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar, 235ns kapalı duruma geçiş süresi ile verimli komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
200 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
192 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/235ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V