Görsel mevcut değil
NGTB25N120FL2WG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
NGTB25N120FL2WG Hakkında
NGTB25N120FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen Field Stop teknolojili IGBT transistördür. 1200V collector-emitter gerilim dayanımı ve 50A maksimum collector akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde temin edilen bu bileşen, düşük Vce(on) değeri (2.4V @ 15V, 25A) ile enerji kaybını minimize eder. 178nC gate charge ve 154ns reverse recovery time sayesinde yüksek hızlı anahtarlama operasyonlarında verimlidir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde uygulanır. 385W maksimum güç dissipasyonu kabiliyeti ile yoğun yük şartlarında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
178 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
385 W
Reverse Recovery Time (trr)
154 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.95mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
87ns/179ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V