Görsel mevcut değil
NGTB20N120IHLWG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
NGTB20N120IHLWG Hakkında
NGTB20N120IHLWG, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/40A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlamalı uygulamalarda kullanılır. 192W maksimum güç kapasitesi ve 200A pulse akımı ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 200nC olup, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 235ns'dir. Vce(on) maksimum 2.2V (15V, 20A şartlarında) ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabildir. Anahtarlama enerjisi 700µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel invertörler ve DC-DC dönüştürücüleri gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
200 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
192 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/235ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V