Görsel mevcut değil
NGD8205ANT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
NGD8205ANT4G Hakkında
NGD8205ANT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü yarı iletken komponenttir. Maksimum 20A sabit kolektör akımı ve 50A pulse akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 390V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 125W maksimum güç derecelendirmesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. Logic giriş tipi ve Surface Mount montaj şekline sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 4.5V gate voltajında 20A akımda maksimum 1.9V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürücülerinde uygulanabilir. Ürün halen obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V