Görsel mevcut değil
NGD15N41ACLT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
NGD15N41ACLT4G Hakkında
NGD15N41ACLT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen insulated gate bipolar transistor (IGBT) bileşenidir. 15A collector akımı ve 440V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic giriş tipine sahip olan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımlarına entegre edilir. Vce(on) değeri 2.2V (4V gate voltajında, 10A akımda) olup, 107W maksimum güç dağıtabilir. Switching uygulamalarında, güç yönetiminde ve motor kontrol devrelerinde kullanım alanı bulur. 4µs off-delay süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
107 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Td (on/off) @ 25°C
-/4µs
Test Condition
300V, 6.5A, 1kOhm
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 4V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V