Görsel mevcut değil
NGB8207BNT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
NGB8207BNT4G Hakkında
NGB8207BNT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 20A maksimum collector akımı ve 365V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.6V on-state voltajı (Vce) ve 165W maksimum güç kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V