Görsel mevcut değil
NGB8207ABNT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
NGB8207ABNT4G Hakkında
NGB8207ABNT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) SMD pakete sahip olan bu transistör, 20A collector akımı ve 365V breakdown voltajı ile çalışır. 3.7V gate voltajında 10A collector akımında 2.2V Vce(on) değerine sahiptir. Maksimum 165W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir şekilde performans gösterir. Pulse uygulamalarında 50A akım taşıyabilmesi sayesinde inverter, motor kontrol, AC/DC dönüştürücü ve güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Logic seviyesi gate sürüşüne uyumlu tasarımı standart kontrol sinyalleriyle kolayca konfigüre edilebilmesini sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 3.7V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V