Görsel mevcut değil
NGB8206NSL3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
NGB8206NSL3G Hakkında
NGB8206NSL3G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 350V kat dayanım voltajı ve 20A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 150W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. Vce(on) maksimum değeri 4.5V gate voltajında ve 20A akımında 1.9V'dur. Lojik giriş tipine sahip olan bu IGBT, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete). 390V kollektör-emitter kırılma voltajı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V