Görsel mevcut değil
NGB8206NG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 390V 20A 150W D2PAK
NGB8206NG Hakkında
NGB8206NG, Rochester Electronics tarafından üretilen D2PAK paket türünde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 390V Collector-Emitter breakdown voltajı, 20A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 50A pulsed collector akımı kapasitesi ile geçici yüksek akım uygulamalarını destekler. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 1.9V (4.5V gate voltajında 20A akımda) olup, hızlı açılıp kapanma özellikleri (5µs turn-off zamanı) sayesinde anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter devrelerinde kullanıma uygundur. Surface mount paketlemesi kompakt tasarımlar için avantajlıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V