Görsel mevcut değil
NGB8206ANTF4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT
NGB8206ANTF4G Hakkında
NGB8206ANTF4G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 20A maksimum Ic akımı ve 50A pulse akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 390V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 1.9V Vce(on) değerleri ile endüstriyel denetim, motor sürücüleri ve dc-dc dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç dağıtabilir. 5µs kapalı geçiş süresi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D2PAK
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V