Görsel mevcut değil
NGB8206ANSL3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT
NGB8206ANSL3G Hakkında
NGB8206ANSL3G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 20A maksimum collector akımı ve 50A pulse akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 390V maksimum collector-emitter breakdown voltajında çalışır. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) pakette sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığına dayanıklıdır. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile verimli iletim özellikleri sağlar. Logic input tipinde kontrol edilen bu IGBT, 150W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve endüstriyel elektrik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D2PAK
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V