Görsel mevcut değil
NGB8204ANT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
NGB8204ANT4G Hakkında
NGB8204ANT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 18A collector akımı ve 50A pulsed akımı ile çalışır. 430V collector-emitter breakdown voltajı, 115W maksimum güç derecelendirmesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile uygulamalar için tasarlanmıştır. Logic input tipine sahip olan bileşen, 4V gate voltajında 15A akımda maksimum 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Surface mount teknolojisine uygun olan bu IGBT, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen güncel olarak discontinued durumdadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 4V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V