Görsel mevcut değil
MMBTA56LT1HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 500MA SOT23-3
MMBTA56LT1HTSA1 Hakkında
MMBTA56LT1HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount (SMD) teknolojisine uygun SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 100MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle, ses/video amplifikatörleri, kontrol devreleri ve sinyaller işleme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında stabil çalışma performansı sunmaktadır. Küçük boyutu ve düşük güç tüketimi nedeniyle mobil cihazlar ve taşınabilir uygulamalar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V