Görsel mevcut değil
MMBTA56LT1G-HFE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- MMBTA56 - SS SOT23 DR XSTR PNP 8
MMBTA56LT1G-HFE Hakkında
MMBTA56LT1G-HFE, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP türü bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter breakdown voltajına sahiptir. 100mA, 1V koşullarında minimum 100 hFE DC akım kazancı sağlar. 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 225mW güç tüketimine sahip olan ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyalli aydınlatma kontrol devreleri, ses amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı transistor amplifier tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V