Görsel mevcut değil
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G Hakkında
MMBTA56LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörlü (BJT) komponenttir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V kolektör-emitör gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışmaktadır. 100 @ 100mA, 1V koşullarında 100 minimum DC akım kazancına sahiptir. Geçiş frekansı 50MHz'dir. Maksimum güç tüketimi 225mW olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş bir sıcaklık aralığını destekler. 250mV maksimum saturasyon gerilimi (10mA bazı akım, 100mA kolektör akımında) ile anahtarlama uygulamalarında verimli kullanım sağlar. Sinyal yükseltme, anahtarlama, düşük frekanslı amplifikasyon ve ses frekansı devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
