Görsel mevcut değil
MMBTA56LT1G-HFE
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
MMBTA56LT1G-HFE Hakkında
MMBTA56LT1G-HFE, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V Vce darbelenme voltajı ve 500mA kolektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 225mW maksimum güç disipasyonu ve 50MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100'dür (100mA, 1V koşullarında). -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışır. Sinyal işleme, düşük güçlü anahtarlama ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V