Görsel mevcut değil
MMBTA56-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
MMBTA56-7-F Hakkında
MMBTA56-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde gelen bu transistör, maksimum 500mA kollektör akımı ve 80V breakdvown voltajı ile çalışır. 300mW güç dağıtma kapasitesi ve 50MHz geçiş frekansı ile orta seviye uygulamalarda kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 olup, doyum voltajı 250mV'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi sayesinde endüstriyel ortamlarda ve gömülü sistemlerde sinyal anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük güçlü işaretleme devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V