Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
MJE3055T
MJE3055T Hakkında
MJE3055T, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 10A kolektör akımı ve 60V kollektör-emitter gerilimi ile güç amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 75W güç sınırlaması ile ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-220-3 paket tipi ile pratik montaj ve ısı yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
İlgili Ürünler
