Görsel mevcut değil
JANSR2N3019
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N3019 Hakkında
JANSR2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı ile TO-5 metal kasa paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 80V collector-emitter breakdwon voltajı ve 800mW güç yönetme kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 10V değerlerinde minimum 50 olup, saturation voltajı 500mV'tur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilir. Kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve düşük-orta güç anahtarlaması gibi alanlarda yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V