Görsel mevcut değil
2N3019
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- AF PREAMP DR
2N3019 Hakkında
2N3019, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN tipi bipolar junction transistördür. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, audio frekans preamplifier uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frekansı ve 1 A maksimum collector akımı kapasitesi ile sinyal işleme ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 80 V collector-emitter voltajı breakdown değeri ve 500 mV saturation voltajı ile belirtilen çalışma koşullarında güvenilir performans sağlar. 150 mA collector akımında minimum 100 hFE DC akım kazancı sunmaktadır. Düşük 10 nA ICBO cutoff akımı ile minimum kaçak akımına sahiptir. 800 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi, aktif bölgede ve saturation bölgesinde lineer amplifikasyon uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V