Görsel mevcut değil
JAN2N3019
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO39
JAN2N3019 Hakkında
JAN2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kaplı kasa ile sağlanan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V yıkılma gerilimi ile çalışabilir. 800mW güç dağıtım kapasitesi bulunan komponent, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C) kullanılabilir. Minimum 50 DC kazanç (hFE) ile güçlendiriciler, anahtarlar ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Düşük 500mV saturasyon gerilimi sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar. Elektronik cihazlardaki enerji kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V