Görsel mevcut değil
JANS2N3019S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANS2N3019S Hakkında
JANS2N3019S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal can paketlemesinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter kırılma voltajı, 800mW maksimum güç dağıtımı ve 50 minimum DC akım kazancı özellikleriyle orta güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında reliable performans sunar. Kontrol devreleri, enerji yönetimi sistemleri, sinyal amplifikasyonu ve röle kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V