Görsel mevcut değil
ISL9V5045S3ST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ISL9V5045S3ST Hakkında
ISL9V5045S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 51A maksimum collector akımı ve 480V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Surface Mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, inverter devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 32nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 300W güç yönetebilir. Vce(on) değeri 4V gate voltajında 10A akımda 1.6V'dur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Gate Charge
32 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/10.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
480 V