Görsel mevcut değil
ISL9V3036S3ST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D
ISL9V3036S3ST Hakkında
ISL9V3036S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 360V collector-emitter diyot gerilimi ve 21A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 1.6V Vce(on) değeri ve 150W maksimum güç kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketi, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirmektedir. 4.8µs kapalı duruma geçiş süresi ve 17nC gate charge değeri ile düşük enerji kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
360 V