Görsel mevcut değil
ISL9V2540S3ST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ISL9V2540S3ST Hakkında
ISL9V2540S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 430V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 15.5A maksimum collector akımı ile güç yönetimi, motor kontrol, inverter devreleri ve endüstriyel şalterler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bileşen, 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında işletme yapabilir ve 166.7W maksimum güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. Surface mount montaj tipi ile modern PCB üretimine uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15.5 A
Gate Charge
15.1 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
166.7 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/3.64µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V