Görsel mevcut değil
ISL9V2040S3ST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ISL9V2040S3ST Hakkında
ISL9V2040S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir half-bridge IGBT transistörüdür. 430V Vce breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile güç dönüştürme, motor kontrolü, inverter ve UPS gibi uygulamalarda yer alır. 130W maksimum güç kapasitesi, 12nC gate charge ve 3.64µs turn-off delay değerleriyle hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
130 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/3.64µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V