Görsel mevcut değil
IRGS8B60KPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IRGS8B60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
IRGS8B60KPBF Hakkında
IRGS8B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi ayrık IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown gerilimi ve 28A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. D2Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 167W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. 2.2V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 8A collector akımında) ve 23ns/140ns on/off gecikmesi sayesinde orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve ısıtma kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Part Status
Active
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
29 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
160µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/140ns
Test Condition
400V, 8A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V