Görsel mevcut değil
IRGS6B60KDTRLP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 11A, 600V, N CHANNEL
IRGS6B60KDTRLP Hakkında
IRGS6B60KDTRLP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 11A nominal collector akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. NPT (Non-Punch Through) tipi teknoloji ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi, kompakt tasarımlar için uygundur. 25ns on-time ve 215ns off-time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) değeri 2.2V @ 15V gate voltajında ölçülmüştür. 90W maksimum güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
26 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
90 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V