Görsel mevcut değil
IRGS4715DPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGS4715DPBF Hakkında
IRGS4715DPBF, recovery diode entegre edilmiş bir IGBT transistörüdür. 650V collector-emitter breakdown voltajı, 21A maksimum collector akımı ve 30nC gate charge ile çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 8A'de 2V'tur. 100W maksimum güç derecelemesi ile güç elektronikleri devrelerinde, motor sürücüleri, inverterler ve SMPS uygulamalarında tercih edilir. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 86ns reverse recovery time ve 200µJ (on) / 90µJ (off) switching energy özellikleriyle verimli anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
86 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
200µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/100ns
Test Condition
400V, 8A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V