Görsel mevcut değil
IRGS4620DPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGS4620DPBF Hakkında
IRGS4620DPBF, entegre recovery diodlu bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kollektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 32A DC kollektor akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 140W güç dissipasyonuna kapaklıdır. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 25nC gate charge değeri ve 31ns/83ns (açılış/kapanış) switching delay süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarına olanak tanır. 68ns reverse recovery time ve 75µJ (on) / 225µJ (off) switching energy değerleri ile motor sürücüleri, dc-dc konverterleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaya uyygundur. Parça obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
36 A
Gate Charge
25 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
140 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
75µJ (on), 225µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31ns/83ns
Test Condition
400V, 12A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V