Görsel mevcut değil
IRGS30B60KTRRP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IRGS30B60KTRRP Hakkında
IRGS30B60KTRRP, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponenttir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 78A maksimum kollektör akımı ve 370W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 102nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar; 46ns turn-on ve 185ns turn-off gecikmesi ile çalışır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. İndüktif yüklerin anahtarlanması, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel sürüş uygulamalarında kullanılır. Standard input tipi giriş sürücüleriyle uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
102 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
370 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
350µJ (on), 825µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/185ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V