Görsel mevcut değil
IRGR3B60KD2TRP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IRGR3B60 - INSULATED GATE BIPOLA
IRGR3B60KD2TRP Hakkında
IRGR3B60KD2TRP, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistör (IGBT) olup, anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 600V drenaj-kaynak diyot gerilimi ile 7.8A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.4V Vce(on) değeri ve 13nC gate charge ile verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7.8 A
Part Status
Active
Current - Collector Pulsed (Icm)
15.6 A
Gate Charge
13 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
52 W
Reverse Recovery Time (trr)
77 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
62µJ (on), 39µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/110ns
Test Condition
400V, 3A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V