Görsel mevcut değil
IRGP6660D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGP6660D-EPBF Hakkında
IRGP6660D-EPBF, entegre recovery diode'u ile birlikte gelen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 95A maksimum kolektör akımı ve 144A pulslu kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 330W maksimum güç yönetimi kapasitesi sayesinde güç dönüştürme, motor kontrol, welding ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketindeki bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 70ns reverse recovery time ve optimize edilmiş switching energy karakteristikleri ile yüksek frekans anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Rochester Electronics tarafından üretilen bu ürün artık üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
95 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
600µJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/155ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V